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NCE6012AS

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规格说明

制造商

无锡新洁能股份有限公司

产品种类

MOSFET

产品特性

N沟道

漏源极击穿电压(最大)

60V

连续漏极电流(最大)

12A

功率耗散(最大)


栅源极击穿电压


漏源导通电阻(典型值)(4.5V)


封装

SOT-8


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